参考收费标准
无
开放机时安排
无
主要规格和技术参数
真空腔室Ф500×H420mm，304优质不锈钢制造，前开门结构
真空系统 复合分子泵+直联旋片泵+高真空阀门组合的高真空系统，数显复合真空计
真空极限 6.0×10-5Pa（空载，经烘烤除气后）
漏率 设备升压率≤0.8Pa/h
设备保压：停泵12小时候后，真空≤10Pa
抽速 （空载）从大气抽至5.0×10-3Pa≤15min
基片台尺寸 Φ150mm范围内可装卡各种规格基片
基片台旋转与加热 基片旋转：0～20转/分钟
加热:室温～500±1℃，可控可调，日本岛电PID智能温控闭环控温
溅射靶 配置3套3英寸永磁共焦磁控溅射靶（溅射靶角度、高度可调），向上溅射，磁控靶RF、MF、DC兼容，可以溅射磁性材料，磁控靶配有气动挡板结构
工作方式 各靶可独立/顺次/共同工作，采用磁控靶从下向上溅射镀膜
脉冲偏压 —1000V，1套
膜厚不均匀性 ≤±5%（基片台Φ100mm范围内）
控制方式 PLC+触摸屏人机界面半自动控制系统
报警及保护 对泵、电极等缺水、过流过压、断路等异常情况进行报警并执行相应保护措施，完善的逻辑程序互锁保护系统
主要功能及特色
1、优良高真空系统配置，可实现稳定的高真空镀膜环境，更好的极限真空度，更快的抽速，有利于提高镀膜效率，缩短实验时间。
2、可用于制备纳米金属膜、合金膜、半导体膜、陶瓷膜、介质膜等，开发纳米级单层、多层及复合膜层等。
3、基片台和靶溅射面积更大，三套溅射靶可单独溅射、依次溅射、共同溅射，可适用多种和多层材料溅射；溅射靶的稳定性和成膜均匀性佳，可有效提高靶材利用率高，尤其是贵金属靶材。
4、PLC半自动控制系统，操作简便，在方便的前提下可最大限度调动实际使用者的研发能力。
主要附件及配置
1、橡胶圈和接头配件
2、循环水机
3、空气压缩机